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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 49
    周辺 -40% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.3 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 10.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 2311

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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Kingston 9905702-012.A00G 8GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
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