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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
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Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
バグを報告する
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 49
    周辺 -75% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.4 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 2757

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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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メモリRAM
Mushkin 992017 (997017) 8GB
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Kingston 9905734-063.A00G 32GB
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Kingston XCCT36-MIE 16GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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