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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比較する
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
総合得点
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
49
53
周辺 8% 低遅延
考慮すべき理由
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
20
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.4
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
53
読み出し速度、GB/s
10.2
20.0
書き込み速度、GB/秒
8.1
9.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2465
2366
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
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Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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