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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    49 left arrow 92
    周辺 47% 低遅延
V-GEN D4H8GS24A8 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 92
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 1640

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Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
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メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
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メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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