RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
バグを報告する
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 49
    周辺 -104% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 3128

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAMの比較

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
メモリRAM
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
メモリRAM