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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
総合得点
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
総合得点
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
52
周辺 -49% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.6
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
35
読み出し速度、GB/s
9.8
14.6
書き込み速度、GB/秒
8.0
10.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2179
2636
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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