RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
比較する
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
総合得点
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
総合得点
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
52
周辺 -86% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.3
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.3
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
28
読み出し速度、GB/s
9.8
18.3
書き込み速度、GB/秒
8.0
15.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2179
3708
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAMの比較
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link