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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
総合得点
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
52
周辺 -68% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.8
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.2
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
31
読み出し速度、GB/s
9.8
16.8
書き込み速度、GB/秒
8.0
14.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2179
3488
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
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