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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
比較する
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
総合得点
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
52
73
周辺 29% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.0
7.0
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.4
9.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
73
読み出し速度、GB/s
9.8
13.4
書き込み速度、GB/秒
8.0
7.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2179
1468
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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