RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 52
    周辺 -79% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2179 left arrow 3336

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAMの比較

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
メモリRAM