Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

総合得点

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

35 52

周辺 -49% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

10.5 9.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

8.1 8.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

52 35
読み出し速度、GB/s

9.8 10.5
書き込み速度、GB/秒

8.0 8.1
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2179 2179

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB

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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

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Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

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G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

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Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB

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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

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