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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston 9905633-017.A00G 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
総合得点
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
52
周辺 -93% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.7
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
27
読み出し速度、GB/s
9.8
13.7
書き込み速度、GB/秒
8.0
9.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2179
2306
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
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