RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston 99U5625-015.A00G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB

Kingston 99U5625-015.A00G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 84
    周辺 38% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 7.2
    テスト平均値
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB 考慮すべき理由
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 84
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2179 left arrow 1614

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAMの比較

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingston 99U5625-015.A00G 16GB RAMの比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
メモリRAM