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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

総合得点
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Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 52
    周辺 -58% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2179 left arrow 2900

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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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