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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

総合得点
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB 考慮すべき理由
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 52
    周辺 -33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.4 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2179 left arrow 2680

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAMの比較

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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Kllisre 0000 8GB
Kllisre 0000 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641152 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
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メモリRAM
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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