RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 7.2
    テスト平均値
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 52
    周辺 -44% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 9.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2179 left arrow 2220

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAMの比較

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
メモリRAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
メモリRAM