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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

総合得点
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Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB 考慮すべき理由
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 52
    周辺 -58% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2179 left arrow 2757

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Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
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メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
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Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
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メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 9965657-011.A00G 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Kingston 9905701-003.A00G 16GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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