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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
47
周辺 -52% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.9
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.2
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
31
読み出し速度、GB/s
10.4
17.9
書き込み速度、GB/秒
7.8
14.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3538
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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