RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
比較する
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
47
周辺 -52% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.3
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
31
読み出し速度、GB/s
10.4
16.3
書き込み速度、GB/秒
7.8
12.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2169
3120
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link