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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
相違点
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考慮すべき理由
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
47
周辺 -21% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
39
読み出し速度、GB/s
10.4
14.0
書き込み速度、GB/秒
7.8
9.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2169
2221
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
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