RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
比較する
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
47
周辺 -62% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.2
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
29
読み出し速度、GB/s
10.4
15.3
書き込み速度、GB/秒
7.8
11.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2169
2810
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link