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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
47
周辺 -68% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.1
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.9
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
28
読み出し速度、GB/s
10.4
19.1
書き込み速度、GB/秒
7.8
16.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2169
3859
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB RAMの比較
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905403-198.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
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