RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    47 left arrow 83
    周辺 43% 低遅延
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB 考慮すべき理由
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 83
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 1752

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較

V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
メモリRAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM