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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
47
周辺 -57% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
21.9
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.3
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
30
読み出し速度、GB/s
10.4
21.9
書き込み速度、GB/秒
7.8
16.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2169
3650
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
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