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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
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Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB

Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB 考慮すべき理由
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 47
    周辺 -27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21.6 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 21.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 15.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 3581

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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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