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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
比較する
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.8
5.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
47
周辺 -62% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
10.8
10.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
29
読み出し速度、GB/s
10.4
10.8
書き込み速度、GB/秒
7.8
5.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2169
1735
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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