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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
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Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 47
    周辺 -34% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.1 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 11.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 2580

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Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
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Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
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メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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