Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

総合得点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

考慮すべき理由
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

23 47

周辺 -104% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.3 10.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.2 7.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

47 23
読み出し速度、GB/s

10.4 17.3
書き込み速度、GB/秒

7.8 13.2
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2169 3233

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

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Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

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SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

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Panram International Corporation M424051 4GB

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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

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Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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