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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 47
    周辺 -42% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 11.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 2693

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL10-8GBZL 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kllisre DDR4-8GB 8GB
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メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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