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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
47
周辺 -27% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.1
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
37
読み出し速度、GB/s
10.4
15.1
書き込み速度、GB/秒
7.8
12.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2169
2873
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
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