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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

総合得点
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 47
    周辺 -47% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 2349

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Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
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メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
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Kingston 9905678-014.A00G 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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