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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 47
    周辺 -38% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 2789

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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
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メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
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