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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
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Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 6.1
    テスト平均値
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 47
    周辺 -81% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 12.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 6.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 1711

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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
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メモリRAM
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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