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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

総合得点
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB 考慮すべき理由
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 33
    周辺 -43% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    8.0 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1911 left arrow 3041

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A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
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メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Kingston KHYXPX-MID 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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