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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
比較する
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
総合得点
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
40
周辺 18% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
40
読み出し速度、GB/s
8.0
15.4
書き込み速度、GB/秒
7.3
12.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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