RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 65
    周辺 49% 低遅延
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 65
  • 読み出し速度、GB/s
    8.0 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1911 left arrow 1824

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAMの比較

Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
メモリRAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
メモリRAM