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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
19
33
周辺 -74% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.5
8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.8
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
19
読み出し速度、GB/s
8.0
19.5
書き込み速度、GB/秒
7.3
15.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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