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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 33
    周辺 -18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.4 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    8.0 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1911 left arrow 2558

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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
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Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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メモリRAM
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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