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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
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Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB

Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB 考慮すべき理由
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 54
    周辺 -74% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.0 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 14.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 3415

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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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