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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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考慮すべき理由
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
54
周辺 -54% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
9.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.9
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
35
読み出し速度、GB/s
9.2
16.4
書き込み速度、GB/秒
8.1
13.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2105
3336
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
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