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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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考慮すべき理由
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
54
周辺 -50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.1
9.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
36
読み出し速度、GB/s
9.2
15.1
書き込み速度、GB/秒
8.1
12.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2105
2871
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
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Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
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