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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
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Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 54
    周辺 -184% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.4 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 20.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 17.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 3855

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A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Kllisre 0000 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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