RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
バグを報告する
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 54
    周辺 -108% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    22.9 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 22.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 17.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 3962

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
メモリRAM