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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
54
周辺 -116% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20
9.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.1
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
25
読み出し速度、GB/s
9.2
20.0
書き込み速度、GB/秒
8.1
17.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2105
3886
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-039.A00G 16GB
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Kingston HX424C15FB/8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
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