Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

総合得点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点

Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

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Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 54

周辺 -100% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

18.7 9.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.8 8.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

54 27
読み出し速度、GB/s

9.2 18.7
書き込み速度、GB/秒

8.1 15.8
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2105 3712

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB

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Super Talent F21UB8GS 8GB

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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

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Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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AMD AE34G1601U1 4GB

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G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB

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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

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G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

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Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

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