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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
54
周辺 -59% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
9.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.4
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
34
読み出し速度、GB/s
9.2
15.2
書き込み速度、GB/秒
8.1
11.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2105
2791
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
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