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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
54
周辺 -38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14
9.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
39
読み出し速度、GB/s
9.2
14.0
書き込み速度、GB/秒
8.1
9.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2105
2221
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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