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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
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Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 54
    周辺 -54% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 2636

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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
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メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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