RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 54
    周辺 -93% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.7 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 19.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 15.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 3717

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
メモリRAM