RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 54
    周辺 -116% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 2945

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
メモリRAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
メモリRAM